碳化硅粉：制备高质量碳化硅单晶需要杂质含量低、粒径均匀的碳化硅料源，尤其是在制备高纯半绝缘碳化硅或者掺杂半绝缘碳化硅时，对低杂质含量的要求非常高。事实上，碳化硅料源合成过程中进入掺杂元素的可能性很多
碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿
采用固相法合成的碳化硅粉体较为经济，原料来源广泛且价格较低，易于工业化生产，然而用此种方法合成的碳化硅粉体杂质含量高，质量较低;高温自蔓延方法是
一般来说导热率取决于碳化硅结晶颗粒中杂质的含量，杂质越少导热率越高。图3陶瓷的性能2.2.4刚性(弹性率)如图3所示，碳化硅陶瓷的弹性率很高，超过400GPa，仅次于碳
碳化硅粉体，从碳与硅之间的反应性、游离碳(FC)的量和碳化硅粉体的产率的观点，其能够展示出良好的结果。在根据该实施方案的碳化硅粉体中，在由硅源、碳
冶炼绿碳化硅时要求硅质原料中SiO2含量尽可能高，杂质含量尽量低。生产黑碳化硅时，硅质原料中的SiO2可稍低些。是通过二氧化硅和碳发生碳热还原反应或硅粉和炭黑细粉
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本发明制备高质量的碳化硅籽晶，并控制碳化硅粉料、石墨坩埚及保温材料的杂质浓度，结合一定的晶体生长工艺以及晶片加工方式，得到了高质量的碳化硅衬底
碳化硅（SiC）是一种碳化物，由美国人艾奇逊在1891年电熔金刚石实验时在实验室偶然发现，具有金刚石结构的碳化硅变体俗称“金刚砂”。碳化硅表现为无色晶体，
在碳化硅微粉的生产过程中通常会对碳化硅微粉粒度水分含量进行检测；经检索，现有技术中的检测技术通常为对碳化硅微粉进行取样，然后对样品进行检测即可，其过程较为简
高纯碳化硅为无色透明结晶或无定形粉末，含杂质的碳化硅为绿色，固溶有炭和金属氧化物杂质则呈碳化硅粉料的合成方法主要有：①碳热还原法，SiO2+3C→SiC+2CO↑；②高频等离子体或激光进行硅烷的热分解法；③使用金属有机化
冶炼绿碳化硅时要求硅质原料中SiO2含量尽可能高，杂质含量尽量低。生产黑碳化硅时，硅质原料中的SiO2可稍低些。是通过二氧化硅和碳发生碳热还原反应或硅粉和炭黑细粉直接在惰性气氛中发生反应而制得碳化硅细粉。
碳化硅晶形结构及粉体制备碳化硅材料具有硬度大、耐磨损、弹性模量高等特性，这些特性大部分取决于其高度共价键性及稳定的晶体结构。碳化硅有β和α两种晶体结构，βSiC为面心立方的闪锌矿结构，αSiC为六方晶系纤锌矿结构。
生长SiC单晶用的SiC粉体纯度要求很高，其中杂质含量应至少低于0.001%。在众多SiC粉合成方法中，气相法通过控制气源中的杂质含量可以获得纯度较高的SiC粉体；液相法中只有溶胶凝胶法可以合成纯度满足单晶生长需要的SiC粉体；固相法中的
高纯碳化硅原料中杂质含量的高低直接影响着半绝缘碳化硅单晶电阻率的高低，杂质含量越低，碳化硅单晶的电阻率越高。然而在合成的高纯sic粉料中一般含有n、b、al等杂质元素，这些杂质在晶体生长过程中不易完全去除并随着晶体生长进入到晶格位置，使碳化硅晶体呈现n型或p型导电特性。
在使用各种粉碎机粉碎碳化硅块料的过程中，难免会从研磨球等粉碎介质中混入杂质，碳化硅本身硬度就非常大，介质本身的损耗也大，相应的杂质量也多。图12示出了块料的粗粉碎品(<5mm)和200#产品含铁量的差异。由图可知随着细粉粉碎，含铁量增加。
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1黑碳化硅粉：含碳化硅约为95%，其韧性高于绿碳化硅，大多用于加工抗张强度低的材料，像玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、铸铁和有色金属等等。2绿碳化硅粉：含碳化硅约97%以上，自锐性好，大多用于加工硬质合金，钛合金和光学玻璃，也用于精磨高速钢
本发明制备高质量的碳化硅籽晶，并控制碳化硅粉料、石墨坩埚及保温材料的杂质浓度，结合一定的晶体生长工艺以及晶片加工方式，得到了高质量的碳化硅衬底。所得碳化硅衬底具有高的结晶质量，极低的微管数量、螺位错密度和复合位错密度
在碳化硅微粉的生产过程中通常会对碳化硅微粉粒度水分含量进行检测；经检索，现有技术中的检测技术通常为对碳化硅微粉进行取样，然后对样品进行检测即可，其过程较为简单，检测结果准确性较差，为此我们提出一种碳化硅微粉粒度水分含量检测方法。1.要
标准号：GB/T41153.中文标准名称：碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定二次离子质谱法.英文标准名称：Determinationofboron,aluminumandnitrogenimpuritycontentinsiliconcarbidesinglecrystal—Secondaryionmassspectrometry.标准状态：现行.
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冶炼绿碳化硅时要求硅质原料中SiO2含量尽可能高，杂质含量尽量低。生产黑碳化硅时，硅质原料中的SiO2可稍低些。是通过二氧化硅和碳发生碳热还原反应或硅粉和炭黑细粉直接在惰性气氛中发生反应而制得碳化硅细粉。
碳化硅粗料已能大量供应，不能算高新技术产品，而技术含量极高的纳米级碳化硅粉体暂未产业化率更高一些且各向异性弱；从单晶衬底角度，4HSiC使用更低的生长温度以及C极性面，施主杂质浓度相对会高一些，电阻率更低一些。
碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定二次离子质谱法推标现行123100:00:00.0070100:00:00.0查看详细每页显示条标准共40条标准1
生长SiC单晶用的SiC粉体纯度要求很高，其中杂质含量应至少低于0.001%。在众多SiC粉合成方法中，气相法通过控制气源中的杂质含量可以获得纯度较高的SiC粉体；液相法中只有溶胶凝胶法可以合成纯度满足单晶生长需要的SiC粉体；固相法中的改进自蔓延
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技术实现要素：.本发明目的是提出一种可深度去除高纯碳化硅粉体中硼、铝、钛、铁、钒等杂质元素，使除杂后的碳化硅纯度达到5～6n的方法。.本发明技术方案是：以hcl气体通入温度为900～1200℃的含杂碳化硅粉体，使含杂碳化硅粉体中的杂质元素
本发明制备高质量的碳化硅籽晶，并控制碳化硅粉料、石墨坩埚及保温材料的杂质浓度，结合一定的晶体生长工艺以及晶片加工方式，得到了高质量的碳化硅衬底。所得碳化硅衬底具有高的结晶质量，极低的微管数量、螺位错密度和复合位错密度
在碳化硅微粉的生产过程中通常会对碳化硅微粉粒度水分含量进行检测；经检索，现有技术中的检测技术通常为对碳化硅微粉进行取样，然后对样品进行检测即可，其过程较为简单，检测结果准确性较差，为此我们提出一种碳化硅微粉粒度水分含量检测方法。1.要